رشد و مشخصه یابی نانوساختارهای مبتنی بر سیلیکون

در این تحقیق تجربی، مورفولوژی به همراه آنالیز عنصری، خواص ساختاری و اپتیکی نانوساختارهای اکسید سیلیکون رشد داده شده به روش جایگذاری بخار شیمیایی (cvd) بر روی ویفر سیلیکون را مورد بررسی قرار داده ایم. در این مطالعه از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی گسیل گرمایونی (sem)، پراش پرتو ایکس (xrd) و فوتولومینسانس (pl) استفاده کرده ایم. در نمونه های سنتز شده در این روش، نانو ساختارهای اکسید سیلیکون با استفاده از پودر sio با خلوص %8/99 و در حضور گاز آرگون به عنوان گاز حامل، رشد داده شده اند. در بخش نخست، تاثیر فاصله زیرلایه- ویفر p-si(111) و p-si(100) - تا بوته؛ مدت زمان رشد؛ و همچنین شار گاز حامل بر خواص فیزیکی لایه های رشد داده شده مورد بررسی قرار گرفته اند. دریافتیم سطح نمونه ها از شبکه های درهم تنیده ای از نانوسیم ها با درصد های اتمی si به o مختلف پوشیده شده و نمونه های نزدیکتر تا بوته (cm 4 ~) دارای فاز بس بلوری و در نمونه های دورتر (cm 10 ~) غالبا ساختاری آمورف دارند. در بخش دوم به بررسی اثر کاتالیزور بر رشد نانوساختارهای اکسید سیلیکون پرداخته ایم. در این آزمایش، از پودرsncl2.2h2o به عنوان کاتالیزور و ترکیبی از گاز اکسیژن و آرگون به عنوان گاز حامل استفاده شده است. در این نمونه، لایه ای متخلخل و بس بلوری بر روی ویفر سیلیکون رشد یافته است.